Microchip Technology

Piikarbidista valmistetut puolijohde-erilliskomponentit

Microchip Technologyn piikarbidista valmistetut puolijohde-erilliskomponentit tarjoavat korkean toimintalämpötilan, joka parantaa luotettavuutta tehotiheyden ollessa korkea

Kuvassa piikarbidista valmistetut Microchip Technologyn puolijohde-erilliskomponentitMicrochip Technologyn piikarbidista (SiC) valmistetut puolijohteet tarjoavat innovatiivisen vaihtoehdon tehoelektroniikan suunnittelijoille, jotka haluavat parantaa järjestelmän hyötysuhdetta, pienempää kokoa sekä korkeamman käyttölämpötilan teollisuus-, kuljetus/autoteollisuus-, lääketiede-, ilmailu-, puolustus- ja tietoliikennesovelluksissa. Seuraavan sukupolven SiC MOSFET-transistorit ja SiC SBD -piirit on suunniteltu tarjoamaan korkeampi UIS (Unclamped Inductive Switching) -toistokyky annetulla johtamisresistanssilla tai sähkövirralla. Nämä SiC MOSFET-transistorit tarjoavat korkean UIS-kapasiteetin, noin 10 – 25 joulea per neliösenttimetri (J/cm2), sekä robustin oikosulkusuojauksen. Microchipin SiC SBD (Schottky Barrier Diode) -diodit on suunniteltu tarjoamaan tasapainoiset virtapiikki-, kynnysjännite-, lämpöresistanssi- ja lämpökapasitanssiarvot sekä alhainen vastavirta, mikä vähentää kytkentähäviöitä. Lisäksi SiC MOSFET-transistorit ja SiC SBD -diodit voidaan yhdistää pareiksi käytettäviksi moduuleissa. Microchipin SiC MOSFET- ja SiC SBD -tuotteilla on standardin AEC-Q101 mukainen hyväksyntä.

Ominaisuudet

  • Erittäin alhaiset kytkentähäviöt parantavat järjestelmän hyötysuhdetta
  • Korkea tehotiheys pienessä koossa ja pieni paino
  • 3 kertaa korkeampi lämmönjohtavuus kuin piillä
  • Alhaisemmat jäähdytinelementtivaatimukset mahdollistavat pienemmän koon ja pienemmän painon
  • Korkea toimintalämpötila parantaa luotettavuutta tehotiheyden ollessa korkea
  • Testattu luotettavuus/lujatekoisuus, toimitusketju sekä tuki Microchipin laadulla ja asiakastuella

Käyttökohteet

  • Teollisuus: moottorinohjaus, hitsaus, UPS, SMPS, induktiivinen lämmitys
  • Kuljetus/autoteollisuus: sähköajoneuvojen (EV) akkulaturit, ajoneuvoon integroidut laturit, HEV (Hybrid Electric Vehicle) -voimansiirto, DC-DC-muuntimet, energian talteenotto
  • Älykäs energia: aurinkokennojen invertterit, tuulivoimalat
  • Lääketiede: MRI-virtalähteet, röntgenvirtalähteet
  • Kaupallinen lentoliikenne: toimilaitteet, ilmastointi, virranjakelu
  • Puolustus: moottorinohjaus, varavirtalähteet ja integroidut ajoneuvojärjestelmät

Diodes - Bridge Rectifiers

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
BRIDGE RECT 3PHASE 700V 50AMSCDC50X701AGBRIDGE RECT 3PHASE 700V 50A7 - Immediate$73.24Näytä tiedot
BRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50AMSCDC50H1701AGBRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50A7 - Immediate$137.40Näytä tiedot
BRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT227MSC50DC70HJBRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT22715 - Immediate$39.42Näytä tiedot
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6MSCDC100H170AGBRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP60 - Immediate$324.24Näytä tiedot
BRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP6MSCDC200H70AGBRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP62 - Immediate$222.25Näytä tiedot

Diodes - Rectifiers - Arrays

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227MSC50DC170HJBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT2270 - Immediate$121.74Näytä tiedot
BRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50AMSCDC50X1701AGBRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50A3 - Immediate$194.57Näytä tiedot
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP6MSCDC100H120AGBRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP60 - Immediate$189.56Näytä tiedot
BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50AMSCDC50X1201AGBRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50A6 - Immediate$99.83Näytä tiedot
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6MSCDC100H170AGBRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP60 - Immediate$324.24Näytä tiedot

Diodes - Rectifiers - Single

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3MSC050SDA070BCTDIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3274 - Immediate$12.67Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473MSC050SDA120BCTDIODE SIL CARB 1200V 109A TO247391 - Immediate$28.14Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 700V 60A TO247-3MSC030SDA070BCTDIODE SIL CARB 700V 60A TO247-30 - Immediate$6.18Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 1200V 65A TO2473MSC030SDA120BCTDIODE SIL CARB 1200V 65A TO247324 - Immediate$17.45Näytä tiedot
DIODE SIL CARB 1700V 136A TO247MSC050SDA170BDIODE SIL CARB 1700V 136A TO24782 - Immediate$36.54Näytä tiedot

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
MOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-PMSCSM70TAM10CTPAGMOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-P0 - Immediate$485.56Näytä tiedot
MOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3FMSCSM120TAM31CT3AGMOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3F3 - Immediate$235.04Näytä tiedot
MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3FMSCSM70AM07CT3AGMOSFET 2N-CH 700V 353A SP3F1 - Immediate$222.09Näytä tiedot
MOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-PMSCSM120TAM11CTPAGMOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-P1 - Immediate$659.72Näytä tiedot
MOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3FMSCSM120HM31CT3AGMOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3F0 - Immediate$165.65Näytä tiedot

Transistors - FETs, MOSFETs – Single

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4MSC035SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-40 - Immediate$9.80Näytä tiedot
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3154 - Immediate$34.42Näytä tiedot
SICFET N-CH 700V 131A TO247-3MSC015SMA070BSICFET N-CH 700V 131A TO247-3121 - Immediate$21.47Näytä tiedot
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4MSC080SMA120B4SICFET N-CH 1200V 37A TO247-423 - Immediate$7.93Näytä tiedot
SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227MSC70SM120JCU3SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT22713 - Immediate$47.17Näytä tiedot
Published: 2021-11-01

Related Videos

What is a Diode? – ATM | DigiKey
What is a Diode? – ATM | DigiKey

Publish Date: 2021-10-04

Related Product Highlight

High-Voltage Auxiliary E-Fuse Reference Design Microchip's auxiliary E-Fuse technology has risk reduction through reliability and accelerated development.
Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes Microsemi announces the release of 1200 V, 10 A, and 20 A SiC Schottky barrier diode products with 30 A and 50 A SiC diodes coming soon.

Related Articles and Blogs

Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency of High-performance Switching Converters Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency
Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Leveän energiaraon puolijohteet ilmailu- ja satelliittisovelluksissa Leveän energiaraon puolijohteilla on useita etuja tehonmuunnossa, kuten parempi tehotiheys ja hyötysuhde sekä pienempi järjestelmän koko ja paino.