Name: RF9P120BLFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9P120BLFRATCRTR-ND
Price: 1.69425 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RF9P120BLFRATCR
DigiKeyn tuotenumero	846-RF9P120BLFRATCRTR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RF9P120BLFRATCRCT-ND - Cut Tape (CT) 846-RF9P120BLFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RF9P120BLFRATCR
Kuvaus	NCH 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, POW
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 12A (Tc) 23W (Tc) Kiinnitys pintaan DFN2020Y7LSAA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	61mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 843µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	360 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	23W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DFN2020Y7LSAA
Pakkaus / kotelo	6-UDFN avoin juotoskohta