Rohm Semiconductor Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetään

/ 1 447

Valm. osa #	Saatavana oleva määrä	Hinta	Sarja	Pakkaus	Tuotteen status	FET-tyyppi	Teknologia	Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) @ Id	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	Vgs (maks.)	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	FET-ominaisuus	Tehohäviö (maks.)	Toimintalämpötila	Luokka	Hyväksyntä	Asennustyyppi	Valmistajan laitepakkaus	Pakkaus / kotelo
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	885 519 Varastossa	1 : 0,17000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03405 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm @ 100mA, 2,5V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	117 425 Varastossa	1 : 0,19000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03739 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2Ohm @ 200mA, 4,5V	800mV @ 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	UMT3F	SC-85
RZM001P02T2L MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	93 607 Varastossa	1 : 0,19000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,03199 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,8Ohm @ 100mA, 4,5V	1V @ 100µA	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VMT3	SOT-723
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	139 388 Varastossa	1 : 0,21000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03961 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2Ohm @ 200mA, 4,5V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUM001L02T2CL MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	422 574 Varastossa	1 : 0,25000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,04489 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,5Ohm @ 100mA, 4,5V	1V @ 100µA	-	±8V	7.1 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VMT3	SOT-723
RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	146 674 Varastossa	1 : 0,27000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,04960 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm @ 200mA, 2,5V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VMT3	SOT-723
2SK3019TL MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 Rohm Semiconductor	57 754 Varastossa	1 : 0,27000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,05736 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ei uusiin suunnitelmiin	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	30 V	100mA (Ta)	2,5V, 4V	8Ohm @ 10mA, 4V	1,5V @ 100µA	-	±20V	13 pF @ 5 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	EMT3	SC-75, SOT-416
RUM002N05T2L MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	606 504 Varastossa	1 : 0,30000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,04648 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2Ohm @ 200mA, 4,5V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VMT3	SOT-723
2SK3541T2L MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	12 560 Varastossa	1 : 0,32000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,06035 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Viimeinen ostohetki	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	30 V	100mA (Ta)	2,5V, 4V	8Ohm @ 10mA, 4V	1,5V @ 100µA	-	±20V	13 pF @ 5 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VMT3	SOT-723
RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	547 627 Varastossa	1 : 0,34000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,06385 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2Ohm @ 200mA, 4,5V	800mV @ 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VMT3	SOT-723
RV2C010UNT2L MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 Rohm Semiconductor	5 133 Varastossa	1 : 0,36000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,06764 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	20 V	1A (Ta)	1,2V, 4,5V	470mOhm @ 500mA, 4,5V	1V @ 1mA	-	±8V	40 pF @ 10 V	-	400mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VML1006	SC-101, SOT-883
RUM003N02T2L MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 Rohm Semiconductor	34 618 Varastossa	1 : 0,44000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,08645 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ei uusiin suunnitelmiin	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	20 V	300mA (Ta)	1,8V, 4V	1Ohm @ 300mA, 4V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VMT3	SOT-723
RTF016N05TL MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 Rohm Semiconductor	34 470 Varastossa	1 : 0,53000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,12207 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	45 V	1,6A (Ta)	2,5V, 4,5V	190mOhm @ 1,6A, 4,5V	1,5V @ 1mA	2.3 nC @ 4.5 V	±12V	150 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	TUMT3	3-SMD, litteät jalat
RS1G120MNTB MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP Rohm Semiconductor	4 082 Varastossa	1 : 0,72000 € Cut Tape (CT) 2 500 : 0,17472 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	40 V	12A (Ta)	4,5V, 10V	16,2mOhm @ 12A, 10V	2,5V @ 1mA	9.4 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 20 V	-	3W (Ta), 25W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	8-HSOP	8-PowerTDFN
RQ5L030SNTL MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 Rohm Semiconductor	8 414 Varastossa	1 : 0,89000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,22065 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	3A (Ta)	4V, 10V	85mOhm @ 3A, 10V	2,5V @ 1mA	5 nC @ 5 V	±20V	380 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	TSMT3	SC-96
RUR040N02TL MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Rohm Semiconductor	6 266 Varastossa	1 : 0,89000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,22068 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	20 V	4A (Ta)	1,5V, 4,5V	35mOhm @ 4A, 4,5V	1,3V @ 1mA	8 nC @ 4.5 V	±10V	680 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	TSMT3	SC-96
RTF025N03TL MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 Rohm Semiconductor	8 999 Varastossa	1 : 0,92000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,22813 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	30 V	2,5A (Ta)	2,5V, 4,5V	67mOhm @ 2,5A, 4,5V	1,5V @ 1mA	5.2 nC @ 4.5 V	±12V	270 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	TUMT3	3-SMD, litteät jalat
RQ3E120ATTB MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT Rohm Semiconductor	19 917 Varastossa	1 : 0,98000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,24396 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	30 V	12A (Ta)	4,5V, 10V	8mOhm @ 12A, 10V	2,5V @ 1mA	62 nC @ 10 V	±20V	3200 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN
RS1E280BNTB MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP Rohm Semiconductor	19 671 Varastossa	1 : 1,13000 € Cut Tape (CT) 2 500 : 0,29579 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	30 V	28A (Ta), 80A (Tc)	4,5V, 10V	2,3mOhm @ 28A, 10V	2,5V @ 1mA	94 nC @ 10 V	±20V	5100 pF @ 15 V	-	3W (Ta), 30W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	8-HSOP	8-PowerTDFN
RS1G150MNTB MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP Rohm Semiconductor	6 227 Varastossa	1 : 1,26000 € Cut Tape (CT) 2 500 : 0,33967 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ei uusiin suunnitelmiin	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	40 V	15A (Ta), 43A (Tc)	4,5V, 10V	10,6mOhm @ 15A, 10V	2,5V @ 1mA	15 nC @ 10 V	±20V	930 pF @ 20 V	-	3W (Ta), 25W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	8-HSOP	8-PowerTDFN
RQ3L070ATTB PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF Rohm Semiconductor	6 027 Varastossa	1 : 1,71000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,47426 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	60 V	25A (Tc)	4,5V, 10V	28mOhm @ 7A, 10V	2,5V @ 1mA	48 nC @ 10 V	±20V	2850 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN
RD3L03BATTL1 PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3 Rohm Semiconductor	2 842 Varastossa	1 : 1,72000 € Cut Tape (CT) 2 500 : 0,49017 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	60 V	35A (Tc)	4,5V, 10V	41mOhm @ 35A, 10V	2,5V @ 1mA	37 nC @ 10 V	±20V	1930 pF @ 30 V	-	56W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
RD3L220SNTL1 MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Rohm Semiconductor	3 702 Varastossa	1 : 1,96000 € Cut Tape (CT) 2 500 : 0,56870 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	22A (Ta)	4V, 10V	26mOhm @ 22A, 10V	3V @ 1mA	30 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 10 V	-	20W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
RD3P130SPFRATL MOSFET P-CH 100V 13A TO252 Rohm Semiconductor	8 602 Varastossa	1 : 2,22000 € Cut Tape (CT) 2 500 : 0,66198 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	100 V	13A (Ta)	4V, 10V	200mOhm @ 6,5A, 10V	2,5V @ 1mA	40 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	20W (Tc)	150°C (TJ)	Autoteollisuus	AEC-Q101	Kiinnitys pintaan	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
RSH070P05TB1 MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP Rohm Semiconductor	9 521 Varastossa	1 : 2,22000 € Cut Tape (CT) 2 500 : 0,66073 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	45 V	7A (Ta)	4V, 10V	27mOhm @ 7A, 10V	2,5V @ 1mA	47.6 nC @ 5 V	±20V	4100 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	8-SOP	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)

Näytetään

/ 1 447

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

Yksittäiset FET-kanavatransistorit (Field Effect Transistor) ja MOSFET-metallioksidi-puolijohdekanavatransistorit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ovat transistoreja , joita käytetään elektronisten signaalien vahvistamiseen ja kytkemiseen.

Yksittäinen FET toimii ohjaamalla sähkövirran kulkua lähteen ja nielun välillä hilaan syötetyn jännitteen synnyttämän sähkökentän avulla. FET-transistorien tärkein etu on niiden korkea tuloimpedanssi, mikä tekee niistä ihanteellisia käytettäväksi signaalinvahvistuksessa ja analogisissa piireissä. Niitä käytetään paljon sellaisissa sovelluksissa kuten vahvistimet, oskillaattorit ja puskuriasteet elektronisissa piireissä.

MOSFET-transistorit ovat FET-transistorien alatyyppi ja niiden hila on eristetty kanavasta ohuella oksidikerroksella, mikä parantaa niiden suorituskykyä ja tekee niistä erittäin tehokkaita. MOSFET-transistorit voidaan luokitella edelleen kahteen tyyppiin:

N-kanavatyypin MOSFET: näissä elektronit ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.
P-kanavatyypin MOSFET: näissä aukot ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.

MOSFET-transistoreita suositaan monissa sovelluksissa niiden alhaisen virrankulutuksen, korkean kytkentänopeuden sekä korkean virta- ja jänniteluokituksen vuoksi. Niillä on tärkeä rooli digitaalisissa ja analogisissa piireissä, mukaan lukien virtalähteet, moottorinohjaimet sekä radiotaajuussovellukset.

MOSFET-transistorien toiminta voidaan jakaa kahteen tyyppiin:

Avaustyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET ei normaalisti johda, kun hilajännite on nolla. Laiteen siirtyminen johtavaan tilaan vaatii positiivisen hila-lähde-jännitteen (n-kanavatyyppi) tai negatiivisen hila-lähde-jännitteen (p-kanavatyyppi).
Tyhjennystyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET normaalisti johtaa, kun hilajännite on nolla. Kun hilalle syötetään polariteetiltaan vastakkainen jännite, se ei enää johda virtaa.

MOSFET-transistoreilla on useita etuja, kuten:

Korkea hyötysuhde: Niiden virrankulutus on hyvin matala ja voivat vaihtaa tilaa nopeasti, mikä tekee niistä erittäin tehokkaita virranhallintasovelluksissa.
Alhainen johtamisresistanssi: Niiden resistanssi on alhainen niiden johtaessa, mikä minimoi tehohäviön ja lämmöntuotannon.
Korkea tuloimpedanssi: Erotettu hilarakenne johtaa erittäin korkeaan tuloimpedanssiin, mikä tekee niistä ihanteellisia impedanssiltaan korkean signaalin vahvistamiseen.

Yhteenvetona voidaan todeta, että yksittäiset FET-transistorit ja erityisesti MOSFET-transistorit ovat modernin elektroniikan peruskomponentteja, jotka tunnetaan tehokkuudesta, nopeudesta ja monipuolisuudesta mitä erilaisimmissa sovelluksissa pienitehoisesta signaalinvahvistuksesta korkeatehoiseen kytkentään ja ohjaukseen.

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

TIETOJA

OPASTUS

OTA YHTEYTTÄ

SEURAA MEITÄ