Name: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND
Price: 1.69425 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8-32

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUZ18N10S5L420ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUZ18N10S5L420ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Valmistajan vakio toimitusaika	35 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8-32
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IAUZ18N10S5L420ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja OptiMOS™ 5	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 470 pF @ 50 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 30W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 18A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TSDSON-8-32
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 9A, 10V	Päätuotenumero IAUZ18
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 8µA