Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Tulokset : 40 995
Valmistaja
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGaNPower
Sarja
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™
Pakkaustapa
Cut Tape (CT)Digi-Reel®IrtotavaraKaukaloKoteloNauhaPussiPutkiRullattu teippi (TR)Teippi ja rasia (TB)
Tuotteen status
AktiivinenEi uusiin suunnitelmiinValmistus lopetettu Digi-KeylläVanhentunutViimeinen ostohetki
FET-tyyppi
-N-kanavatyyppiP-kanava
Teknologia
-GaNFET (galliumnitridi)GaNFET (kaskadi Galliumnitridi-FET)MOSFET (metallioksidi)SiC (piikarbidiliitostransistori)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
0,29mOhm @ 50A, 10V0,3mOhm @ 200A, 10V0,35mOhm @ 50A, 10V0,4mOhm @ 150A, 10V0,4mOhm @ 30A, 10V0,4mOhm @ 50A, 10V0,42mOhm @ 50A, 10V0,44mOhm @ 88A, 10V0,45mOhm @ 30A, 10V0,45mOhm @ 30A, 7V0,45mOhm @ 50A, 10V0,45mOhm @ 60A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id
400mV @ 1mA (min.)400mV @ 250µA (min.)450mV @ 100µA (min.)450mV @ 1mA (min.)450mV @ 250µA (min.)450mV @ 2mA (min.)500mV @ 250µA (min.)570mV @ 1mA (tyypillinen)600mV @ 1,2mA (min.)600mV @ 1mA (min.)600mV @ 1mA (tyypillinen)600mV @ 250µA (min.)
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V210 pC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
-20V-12V-10V−10V, +20V-8V-8V, 0V−8V, +19V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
FET-ominaisuus
-Lämpötilan tunnistava puolijohdediodiSchottky-diodi (eristetty)Schottky-diodi (runko)StandardiTyhjennystilaVirranmittaus
Tehohäviö (maks.)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Toimintalämpötila
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 100°C-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C
Luokka
-AutoteollisuusSotilasteollisuus
Hyväksyntä
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Asennustyyppi
-Kiinnitys pintaanKiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reunaLäpivientiaukkoRunkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Pakkaus / kotelo
2-DFN avoin juotoskohta3-DFN avoin juotoskohta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, tasaiset johdot3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Flat Lead3-SMD, SOT-23-3-muunnos3-SMD, ei johtoa
Varastointivaihtoehdot
Ympäristövaihtoehdot
Media
MARKKINAPAIKAN TUOTE
40 995Tulokset

Näytetään
/ 40 995
Vertaa
Valm. osa #
Saatavana oleva määrä
Hinta
Sarja
Pakkaus
Tuotteen status
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) @ Id
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
Vgs (maks.)
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
FET-ominaisuus
Tehohäviö (maks.)
Toimintalämpötila
Luokka
Hyväksyntä
Asennustyyppi
Valmistajan laitepakkaus
Pakkaus / kotelo
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
55 970
Varastossa
1 : 0,16000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,02920 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm @ 100mA, 10V2,1V @ 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
536 563
Varastossa
1 : 0,18000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03097 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm @ 50mA, 5V2,5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
51 434
Varastossa
1 : 0,18000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03211 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)50 V220mA (Tj)4,5V, 10V3,5Ohm @ 220mA, 10V1,5V @ 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
50 009
Varastossa
1 : 0,19000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03223 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm @ 220mA, 10V1,5V @ 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
185 524
Varastossa
1 : 0,20000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03325 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm @ 500mA, 10V2,3V @ 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
2 014
Varastossa
1 : 0,20000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03325 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V380mA (Ta)5V, 10V2Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 492 273
Varastossa
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03468 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm @ 100mA, 2,5V1V @ 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
753 317
Varastossa
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03489 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenP-kanavaMOSFET (metallioksidi)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm @ 100mA, 10V2,1V @ 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
524 059
Varastossa
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03611 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm @ 240mA, 10V2,5V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 339 128
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,02888 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiinN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm @ 500mA, 10V2,4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 166 828
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03752 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiinN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm @ 500mA, 10V2,4V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q100Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
592 502
Varastossa
168 000
Tehdas
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03652 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm @ 250mA, 10V1,5V @ 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
377 164
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03754 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenP-kanavaMOSFET (metallioksidi)50 V130mA (Ta)5V10Ohm @ 100mA, 5V2V @ 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
172 461
Varastossa
1 760 000
Tehdas
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,02809 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm @ 250mA, 10V1,5V @ 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-323SC-70, SOT-323
103 727
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,02825 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm @ 100mA, 10V2,1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
58 327
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03652 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm @ 240mA, 10V2,6V @ 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
887 675
Varastossa
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03833 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm @ 300mA, 10V1,5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TA)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
874 612
Varastossa
1 : 0,23000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03876 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm @ 200mA, 4,5V800mV @ 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanUMT3FSC-85
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
911 634
Varastossa
1 : 0,25000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04140 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm @ 500mA, 10V2,1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
481 644
Varastossa
1 : 0,25000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04121 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
288 166
Varastossa
1 : 0,25000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04080 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)100 V170mA (Ta)10V6Ohm @ 170mA, 10V2V @ 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 040 280
Varastossa
1 : 0,26000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04345 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm @ 300mA, 10V1,5V @ 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C – 150°C (TA)AutoteollisuusAEC-Q101Kiinnitys pintaanSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
902 943
Varastossa
1 : 0,26000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04345 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
747 222
Varastossa
1 : 0,26000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04343 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V300mA (Tc)10V5Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
262 591
Varastossa
1 : 0,26000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04345 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenN-kanavatyyppiMOSFET (metallioksidi)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Näytetään
/ 40 995

Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit


Erillisiä kanavatransistoreja (FET) käytetään paljon tehomuunnoksissa, moottorin ohjauksessa, puolijohdevalaisimissa ja muissa sovelluksissa, joissa niille tyypillisestä nopeasta tilavaihdoksesta korkeilla taajuuksilla ja suurilla sähkövirroilla on etua. Niitä käytetään lähes yleismaailmallisesti sovelluksissa, joissa jänniteluokitus on satoja voltteja tai vähemmän. Tämän yläpuolella erityyppiset laitteet kuten IGBT:t käyvät kilpailukykyisemmiksi.