Transistorit - FET, MOSFET - yksittäiset

Tulokset : 42 058
Valmistaja
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLC
Sarja
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Pakkaustapa
Cut Tape (CT)Digi-Reel®IrtotavaraKaukaloKoteloNauhaPussiPutkiRullattu teippi (TR)Teippi ja rasia (TB)
Tuotteen status
AktiivinenEi uusiin suunnitelmiinValmistus lopetettu Digi-KeylläVanhentunutViimeinen ostohetki
FET-tyyppi
-N-kanavatyyppiP-kanava
Teknologia
-GaNFET (galliumnitridi)GaNFET (kaskadi Galliumnitridi-FET)MOSFET (metallioksidi)SiC (piikarbidiliitostransistori)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
0,29mOhm @ 50A, 10V0,3mOhm @ 200A, 10V0,35mOhm @ 50A, 10V0,36mOhm @ 100A, 10V0,39mOhm @ 100A, 10V0,4mOhm @ 150A, 10V0,4mOhm @ 30A, 10V0,4mOhm @ 50A, 10V0,42mOhm @ 50A, 10V0,44mOhm @ 88A, 10V0,45mOhm @ 30A, 10V0,45mOhm @ 30A, 7V
Vgs(th) (maks.) @ Id
400mV @ 1mA (min.)400mV @ 250µA400mV @ 250µA (min.)450mV @ 100µA (min.)450mV @ 1mA (min.)450mV @ 250µA (min.)450mV @ 2mA (min.)500mV @ 250µA (min.)570mV @ 1mA (tyyp.)600mV @ 1,2mA (min.)600mV @ 1mA (min.)600mV @ 1mA (tyyp.)
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
-20V-12V-10V−10V, +20V-8V-8V, 0V−8V, +19V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-Lämpötilan tunnistava puolijohdediodiSchottky-diodi (eristetty)Schottky-diodi (runko)TyhjennystilaVirranmittaus
Tehohäviö (maks.)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Toimintalämpötila
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 100°C-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)
Luokka
-AutoteollisuusSotilasteollisuus
Hyväksyntä
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Asennustyyppi
-Kiinnitys pintaanKiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reunaLäpivientiaukkoRunkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Pakkaus / kotelo
2-DFN avoin juotoskohta3-DFN avoin juotoskohta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, tasaiset johdot3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, ei johtoa3-SMD, epästandardi3-SMD, SOT-23-3-muunnos
Varastointivaihtoehdot
Ympäristövaihtoehdot
Media
MARKKINAPAIKAN TUOTE
42 058Tulokset
Näytetään
/ 42 058
Valm. osa #
Saatavana oleva määrä
Hinta
Sarja
Pakkaus
Tuotteen status
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) @ Id
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
Vgs (maks.)
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
FET-ominaisuus
Tehohäviö (maks.)
Toimintalämpötila
Luokka
Hyväksyntä
Asennustyyppi
Valmistajan laitepakkaus
Pakkaus / kotelo
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 916
Varastossa
1 : 0,13000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,02500 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm @ 100mA, 10V
2,1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
489 907
Varastossa
1 : 0,15000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,02978 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm @ 100mA, 10V
2,1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
60 687
Varastossa
1 : 0,15000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,02705 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
385 749
Varastossa
1 : 0,17000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,02953 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm @ 50mA, 5V
2,5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
84 625
Varastossa
1 : 0,17000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03435 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 245 948
Varastossa
1 : 0,18000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03060 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm @ 100mA, 2,5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
634 015
Varastossa
1 : 0,18000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03092 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
P-kanava
MOSFET (metallioksidi)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm @ 100mA, 10V
2,1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
Autoteollisuus
AEC-Q101
Kiinnitys pintaan
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
236 755
Varastossa
1 : 0,18000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03662 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm @ 240mA, 10V
2,5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
224 212
Varastossa
3 909 000
Tehdas
1 : 0,18000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03074 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm @ 220mA, 10V
1,5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 242 420
Varastossa
1 : 0,19000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,02229 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiin
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Autoteollisuus
AEC-Q101
Kiinnitys pintaan
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
405 004
Varastossa
57 078 000
Tehdas
1 : 0,19000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03171 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
313 061
Varastossa
1 : 0,19000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03849 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiin
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Autoteollisuus
AEC-Q101
Kiinnitys pintaan
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49 940
Varastossa
1 : 0,19000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,03066 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm @ 100mA, 10V
2,1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
30 181
Varastossa
1 : 0,19000 €
Cut Tape (CT)
10 000 : 0,03182 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm @ 200mA, 10V
2,1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
821 637
Varastossa
1 : 0,20000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03914 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm @ 300mA, 10V
1,5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Autoteollisuus
AEC-Q101
Kiinnitys pintaan
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
571 985
Varastossa
1 : 0,20000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04157 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
30 V
1,4A (Ta)
4,5V, 10V
160mOhm @ 1,4A, 10V
2V @ 3,7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
456 298
Varastossa
1 : 0,20000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03987 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm @ 200mA, 4,5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
453 849
Varastossa
1 : 0,20000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04057 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 620 679
Varastossa
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04321 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm @ 800mA, 4,5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SSM
SC-75, SOT-416
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
770 075
Varastossa
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04155 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Autoteollisuus
AEC-Q101
Kiinnitys pintaan
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
393 277
Varastossa
1 068 000
Tehdas
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03482 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm @ 250mA, 10V
1,5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
191 829
Varastossa
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04231 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49 378
Varastossa
1 : 0,21000 €
Cut Tape (CT)
8 000 : 0,03585 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm @ 10mA, 4V
1,5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
862 861
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04315 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6Ohm @ 300mA, 10V
1,5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Autoteollisuus
AEC-Q101
Kiinnitys pintaan
SOT-323
SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
528 419
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,04313 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiivinen
N-kanavatyyppi
MOSFET (metallioksidi)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C – 150°C (TJ)
-
-
Kiinnitys pintaan
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Näytetään
/ 42 058

Transistorit - FET, MOSFET - yksittäiset

Erillisiä kanavatransistoreja (FET) käytetään paljon tehomuunnoksissa, moottorin ohjauksessa, puolijohdevalaisimissa ja muissa sovelluksissa, joissa niille tyypillisestä nopeasta tilavaihdoksesta korkeilla taajuuksilla ja suurilla sähkövirroilla on etua. Niitä käytetään lähes yleismaailmallisesti sovelluksissa, joissa jänniteluokitus on satoja voltteja tai vähemmän. Tämän yläpuolella erityyppiset laitteet kuten IGBT:t käyvät kilpailukykyisemmiksi.