Name: DMT10H072LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H072LFDF-7TR-ND
Price: 1.24245 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT10H072LFDF-7
DigiKeyn tuotenumero	31-DMT10H072LFDF-7TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMT10H072LFDF-7CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMT10H072LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT10H072LFDF-7
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Kiinnitys pintaan U-DFN2020-6 (tyyppi F)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 266 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 800mW (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 4A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus U-DFN2020-6 (tyyppi F)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 6-UDFN avoin juotoskohta
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 62mOhm @ 4,5A, 10V	Päätuotenumero DMT10

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 352

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)