MOSFET (metallioksidi) Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetään

/ 40 978

Valm. osa #	Saatavana oleva määrä	Hinta	Sarja	Pakkaus	Tuotteen status	FET-tyyppi	Teknologia	Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) @ Id	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	Vgs (maks.)	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	FET-ominaisuus	Tehohäviö (maks.)	Toimintalämpötila	Luokka	Hyväksyntä	Asennustyyppi	Valmistajan laitepakkaus	Pakkaus / kotelo
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	166 085 Varastossa	1 : 0,12000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,02234 € Rullattu teippi (TR)	U-MOSVII-H	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm @ 100mA, 10V	2,1V @ 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	226 776 Varastossa	1 : 0,13000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,02403 € Rullattu teippi (TR)	U-MOSVII-H	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm @ 100mA, 10V	2,1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	128 713 Varastossa	1 : 0,14000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,02648 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm @ 500mA, 10V	2,5V @ 250µA	-	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1,08W	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	112 251 Varastossa	1 : 0,15000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03030 € Rullattu teippi (TR)	TrenchMOS™	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6Ohm @ 300mA, 10V	1,5V @ 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C – 150°C (TA)	Autoteollisuus	AEC-Q101	Kiinnitys pintaan	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	46 212 Varastossa	1 : 0,15000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,02981 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5Ohm @ 220mA, 10V	1,5V @ 1mA	-	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJC138K_R1_00001 SOT-323, MOSFET Panjit International Inc.	27 795 Varastossa	1 : 0,15000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03030 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	50 V	360mA (Ta)	2,5V, 10V	1,6Ohm @ 500mA, 10V	1,5V @ 250µA	1 nC @ 4.5 V	1 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	236mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	9 619 Varastossa	1 : 0,15000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03111 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm @ 50mA, 5V	2,5V @ 250µA	-	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002BK,215 MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Nexperia USA Inc.	3 945 Varastossa	1 : 0,15000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03014 € Rullattu teippi (TR)	TrenchMOS™	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	350mA (Ta)	10V	1,6Ohm @ 500mA, 10V	2,1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	370mW (Ta)	150°C (TJ)	Autoteollisuus	AEC-Q101	Kiinnitys pintaan	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	72 896 Varastossa	1 : 0,16000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03256 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm @ 500mA, 10V	2,5V @ 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
NX3020NAKW,115 MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 Nexperia USA Inc.	6 583 Varastossa	1 : 0,16000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03176 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	30 V	180mA (Ta)	2,5V, 10V	4,5Ohm @ 100mA, 10V	1,5V @ 250µA	0.44 nC @ 4.5 V	0.44 nC @ 4.5 V	±20V	13 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 1,1W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-323	SC-70, SOT-323
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	1 197 230 Varastossa	1 : 0,17000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03463 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm @ 100mA, 2,5V	1V @ 1mA	-	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	328 571 Varastossa	1 : 0,17000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03352 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm @ 500mA, 10V	2,3V @ 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	114 860 Varastossa	1 : 0,17000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03298 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	180mA (Ta)	5V, 10V	6Ohm @ 115mA, 5V	2V @ 250µA	-	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	346 775 Varastossa	1 : 0,18000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03573 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm @ 240mA, 10V	2,5V @ 250µA	0.81 nC @ 5 V	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	328 799 Varastossa	1 : 0,18000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03682 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm @ 100mA, 5V	2V @ 1mA	-	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	65 417 Varastossa	1 : 0,18000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03496 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8Ohm @ 250mA, 10V	1,5V @ 250µA	0.9 nC @ 10 V	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	1 604 Varastossa	1 : 0,18000 € Cut Tape (CT) 10 000 : 0,02902 € Rullattu teippi (TR)	U-MOSVII-H	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm @ 100mA, 10V	2,1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	CST3	SC-101, SOT-883
RZM001P02T2L MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	74 540 Varastossa	1 : 0,19000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,03230 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,8Ohm @ 100mA, 4,5V	1V @ 100µA	-	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VMT3	SOT-723
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	508 026 Varastossa	1 : 0,20000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03959 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5Ohm @ 500mA, 10V	2,5V @ 250µA	-	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	242 125 Varastossa	1 : 0,20000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03811 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm @ 170mA, 10V	2V @ 1mA	-	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	201 368 Varastossa	1 : 0,20000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,03913 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm @ 50mA, 5V	2V @ 250µA	-	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-523	SOT-523
SSM3K15AMFV,L3F MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	131 837 Varastossa	1 : 0,20000 € Cut Tape (CT) 8 000 : 0,03393 € Rullattu teippi (TR)	U-MOSIII	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	30 V	100mA (Ta)	2,5V, 4V	3,6Ohm @ 10mA, 4V	1,5V @ 100µA	-	-	±20V	13.5 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	VESM	SOT-723
2N7002PW,115 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Nexperia USA Inc.	13 451 Varastossa	1 : 0,21000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,04119 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ei uusiin suunnitelmiin	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	310mA (Ta)	10V	1,6Ohm @ 500mA, 10V	2,4V @ 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	Autoteollisuus	AEC-Q101	Kiinnitys pintaan	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	141 203 Varastossa	1 : 0,21000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,04264 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mOhm @ 350mA, 4,5V	1V @ 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SOT-523	SOT-523
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	92 182 Varastossa	1 : 0,21000 € Cut Tape (CT) 3 000 : 0,04018 € Rullattu teippi (TR)	-	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2Ohm @ 200mA, 4,5V	1V @ 1mA	-	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Kiinnitys pintaan	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Näytetään

/ 40 978

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

Yksittäiset FET-kanavatransistorit (Field Effect Transistor) ja MOSFET-metallioksidi-puolijohdekanavatransistorit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ovat transistoreja , joita käytetään elektronisten signaalien vahvistamiseen ja kytkemiseen.

Yksittäinen FET toimii ohjaamalla sähkövirran kulkua lähteen ja nielun välillä hilaan syötetyn jännitteen synnyttämän sähkökentän avulla. FET-transistorien tärkein etu on niiden korkea tuloimpedanssi, mikä tekee niistä ihanteellisia käytettäväksi signaalinvahvistuksessa ja analogisissa piireissä. Niitä käytetään paljon sellaisissa sovelluksissa kuten vahvistimet, oskillaattorit ja puskuriasteet elektronisissa piireissä.

MOSFET-transistorit ovat FET-transistorien alatyyppi ja niiden hila on eristetty kanavasta ohuella oksidikerroksella, mikä parantaa niiden suorituskykyä ja tekee niistä erittäin tehokkaita. MOSFET-transistorit voidaan luokitella edelleen kahteen tyyppiin:

N-kanavatyypin MOSFET: näissä elektronit ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.
P-kanavatyypin MOSFET: näissä aukot ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.

MOSFET-transistoreita suositaan monissa sovelluksissa niiden alhaisen virrankulutuksen, korkean kytkentänopeuden sekä korkean virta- ja jänniteluokituksen vuoksi. Niillä on tärkeä rooli digitaalisissa ja analogisissa piireissä, mukaan lukien virtalähteet, moottorinohjaimet sekä radiotaajuussovellukset.

MOSFET-transistorien toiminta voidaan jakaa kahteen tyyppiin:

Avaustyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET ei normaalisti johda, kun hilajännite on nolla. Laiteen siirtyminen johtavaan tilaan vaatii positiivisen hila-lähde-jännitteen (n-kanavatyyppi) tai negatiivisen hila-lähde-jännitteen (p-kanavatyyppi).
Tyhjennystyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET normaalisti johtaa, kun hilajännite on nolla. Kun hilalle syötetään polariteetiltaan vastakkainen jännite, se ei enää johda virtaa.

MOSFET-transistoreilla on useita etuja, kuten:

Korkea hyötysuhde: Niiden virrankulutus on hyvin matala ja voivat vaihtaa tilaa nopeasti, mikä tekee niistä erittäin tehokkaita virranhallintasovelluksissa.
Alhainen johtamisresistanssi: Niiden resistanssi on alhainen niiden johtaessa, mikä minimoi tehohäviön ja lämmöntuotannon.
Korkea tuloimpedanssi: Erotettu hilarakenne johtaa erittäin korkeaan tuloimpedanssiin, mikä tekee niistä ihanteellisia impedanssiltaan korkean signaalin vahvistamiseen.

Yhteenvetona voidaan todeta, että yksittäiset FET-transistorit ja erityisesti MOSFET-transistorit ovat modernin elektroniikan peruskomponentteja, jotka tunnetaan tehokkuudesta, nopeudesta ja monipuolisuudesta mitä erilaisimmissa sovelluksissa pienitehoisesta signaalinvahvistuksesta korkeatehoiseen kytkentään ja ohjaukseen.

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

TIETOJA

OPASTUS

OTA YHTEYTTÄ

SEURAA MEITÄ