Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 40.17255 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AIMBG120R010M1XTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	AIMBG120R010M1XTMA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	AIMBG120R010M1XTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 178 nC @ 20 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) +25V, -10V
Sarja CoolSiC™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5703 pF @ 800 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 882W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 205A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-7
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V, 20V	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 11,3mOhm @ 93A, 20V	Päätuotenumero AIMBG120
Vgs(th) (maks.) @ Id 5,1V @ 30mA