Name: AIMBG75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 36.8468 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

N-kanavatyyppi 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AIMBG75R007M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies Americas Corp.
Valmistajan tuotenumero	AIMBG75R007M2HXTMA1
Kuvaus	AIMBG75R007M2HXTMA1
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	AIMBG75R007M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 28,5mA
Valm. Infineon Technologies Americas Corp.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 169 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -7V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5854 pF @ 500 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 651W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 750 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 198A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-7-12
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6,3mOhm @ 129,7A, 20V	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA