Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 36.646 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMBG65R007M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMBG65R007M2HXTMA1
Kuvaus	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMBG65R007M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 2,97mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 179 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™ Gen 2	Vgs (maks.) +23V, -7V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6359 pF @ 400 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 789W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-7-12
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 238A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Päätuotenumero IMBG65R007
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,5mOhm @ 146,3A, 18V