Name: FQD8P10TM-F085
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TM-F085TR-ND
Price: 2.09585 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQD8P10TM-F085
DigiKeyn tuotenumero	FQD8P10TM-F085TR-ND - Rullattu teippi (TR) FQD8P10TM-F085CT-ND - Cut Tape (CT) FQD8P10TM-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FQD8P10TM-F085
Kuvaus	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	11 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 100 V 6,6A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FQD8P10TM-F085 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6,6A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	530mOhm @ 3,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	470 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 44W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252AA
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	FQD8P10