Name: FQD8P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TMTR-ND
Price: 1.3805 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQD8P10TM
DigiKeyn tuotenumero	FQD8P10TMTR-ND - Rullattu teippi (TR) FQD8P10TMCT-ND - Cut Tape (CT) FQD8P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FQD8P10TM
Kuvaus	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 100 V 6,6A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Sarja QFET®	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 470 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 44W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 6,6A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero FQD8P10
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 530mOhm @ 3,3A, 10V