Name: AIMCQ120R020M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1TR-ND
Price: 25.94085 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 1200 V 116A (Tc) 577W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AIMCQ120R020M1TXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-AIMCQ120R020M1TXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	AIMCQ120R020M1TXTMA1
Kuvaus	SIC_DISCRETE
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 116A (Tc) 577W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	AIMCQ120R020M1TXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,1V @ 13,7mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 82 nC @ 20 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +25V, -10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2667 pF @ 800 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 577W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 116A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V, 20V	Valmistajan laitepakkaus PG-HDSOP-22
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 43A, 20V	Pakkaus / kotelo 22-PowerBSOP-moduuli