Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 37.76295 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 1200 V 195A (Tc) 880W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMCQ120R010M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMCQ120R010M2HXTMA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	54 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 195A (Tc) 880W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMCQ120R010M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 69A, 18V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,1V @ 21,7mA
Sarja CoolSiC™ G2	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 150.1 nC @ 18 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6320 pF @ 800 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 880W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 195A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-HDSOP-22
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Pakkaus / kotelo 22-PowerBSOP-moduuli