Name: IMDQ65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 26.79425 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMDQ65R010M2HXUMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMDQ65R010M2HXUMA1
Kuvaus	IMDQ65R010M2HXUMA1
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 154A (Tc) 651W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMDQ65R010M2HXUMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 9,1mOhm @ 92,1A, 20V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 18,7mA
Sarja CoolSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 113 nC @ 18 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -10V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4002 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 651W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 154A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-HDSOP-22-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Pakkaus / kotelo 22-PowerBSOP-moduuli