SiC-tasasuuntaajat

STMicroelectronicsin piikarbidirakenteisten Schottky-diodien kytkeytymisen ansiosta suunnittelijat saavuttavat korkeamman tehokkuus- ja tehotiheystason. Virtaluokitukset 2 - 40 A kattaviin ST:n 650 V:n ja 1200 V:n SiC-diodiperheisiin kuuluu sekä teollisuuskäyttöisiä että autoteollisuuteen hyväksyttyjä AEC-Q101-laitteita pinta-asennusmalleina DPAK HV (korkea jännite) ja D²PAK tai läpiasennettavina koteloina TO-220AC ja TO-247LL (pitkä johto).

ST:n 1200 V:n (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) -piikarbididiodit täyttävät suunnittelijoiden tarpeet ylivoimaisessa tehokkuudessa, vähäisessä painossa, pienessä koossa ja parannetuissa lämpöominaisuuksissa tehokkuutta edellyttävään käyttöön.

Erinomaisen lähtöjännitteen (alhainen V_F) ja tekniikan nykytason mukaisen lujuuden tarjoavan ST:n 1200 V:n SiC-diodit antavat ylimääräistä vapautta korkean tehokkuuden ja luotettavuuden saavuttamiseen alhaisella virtaluokituksella ja siten alhaisemmalla hinnalla ja samalla matalammalla käyttölämpötilalla ja kestoiän pidennyksellä. Ne sopivat täydellisesti jokaiseen hakkurimuuntajaan ja invertteriin, joissa tarvitaan äärimmäistä tehotiheyttä ja tehokkuutta, kuten SMPS, UPS, aurinkosähkö ja moottorien ohjaukset.

Virtaluokitukset 2 - 40 A kattavaan ST:n 1200 V:n SiC-diodiperheeseen kuuluu sekä teollisuuskäyttöisiä että autoteollisuuteen hyväksyttyjä AEC-Q101-laitteita pinta-asennusmalleina DPAK HV (korkea jännite) ja D²PAK tai läpiasennettavina koteloina TO-220AC ja TO-247LL (pitkä johto).

ST:n 1200 V SiC täyttää korkeat standardit ja on pienikokoinen.