Name: SIDR638DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR638DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.79865 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIDR638DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIDR638DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIDR638DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIDR638DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIDR638DP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8DC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIDR638DP-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	204 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	10500 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	125W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8DC
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8
Päätuotenumero	SIDR638