Name: SIDR500EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR500EP-T1-RE3TR-ND
Price: 5.5722 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIDR500EP-T1-RE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIDR500EP-T1-RE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIDR500EP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIDR500EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIDR500EP-T1-RE3
Kuvaus	N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 94A (Ta), 421A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8DC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIDR500EP-T1-RE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

cms-filter-similar-products

cms-show-empty-attributes

Category Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,47mOhm @ 20A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Sarja TrenchFET® Gen V	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +16V, -12V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 8960 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 94A (Ta), 421A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8DC
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8