Name: SI2392BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2392BDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.71535 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI2392BDS-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SI2392BDS-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SI2392BDS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SI2392BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI2392BDS-T1-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 2A (Ta), 2,3A (Tc) 1,25W (Ta), 1,7W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2A (Ta), 2,3A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	52mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	7.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	290 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,25W (Ta), 1,7W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-23-3 (TO-236)
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	SI2392