Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 1.2801 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPW1R104PB,L1XHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPW1R104PB,L1XHQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-DSOP Advance
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPW1R104PB,L1XHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,14mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 500µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4560 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-DSOP Advance
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	TPW1R104