Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.5933 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9-1

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,58mOhm @ 20A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Sarja OptiMOS™ 5	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±16V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5453 pF @ 12 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 25 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-WHTFN-9-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 9-PowerWDFN