Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 4.30465 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TTFN-9-1

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE006NE2LM5CGATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT)
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE006NE2LM5CGATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TTFN-9-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE006NE2LM5CGATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 82.1 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±16V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT)	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5453 pF @ 12 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 25 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TTFN-9-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,65mOhm @ 20A, 10V	Päätuotenumero IQE006