Name: TPH5R60APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH5R60APL,L1QTR-ND
Price: 1.8574 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPH5R60APL,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TPH5R60APL,L1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPH5R60APL,L1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPH5R60APL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPH5R60APL,L1Q
Kuvaus	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 60A (Tc) 960mW (Ta), 132W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5,6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 500µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4300 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOP Advance (5x5)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN