Name: TPN1200APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN1200APLL1QTR-ND
Price: 1.4056 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-TSON Advance (3,1x3,1)

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPN1200APL,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TPN1200APLL1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPN1200APLL1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPN1200APL,L1Q
Kuvaus	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 11,5mOhm @ 20A, 10V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 300µA
Sarja U-MOSIX-H	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1855 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 40A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN