Name: TK39N60W5,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39N60W5S1VF-ND
Price: 7.99435 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK39N60W5,S1VF
DigiKeyn tuotenumero	TK39N60W5S1VF-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK39N60W5,S1VF
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 38,8A (Ta) 270W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK39N60W5,S1VF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	DTMOSIV
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	38,8A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	74mOhm @ 19,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 1,9mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4100 pF @ 300 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	270W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	TK39N60