TO-247-3 Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetään

/ 2 244

Valm. osa #	Saatavana oleva määrä	Hinta	Sarja	Pakkaus	Tuotteen status	FET-tyyppi	Teknologia	Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) @ Id	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	Vgs (maks.)	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	FET-ominaisuus	Tehohäviö (maks.)	Toimintalämpötila	Luokka	Hyväksyntä	Asennustyyppi	Valmistajan laitepakkaus	Pakkaus / kotelo
IRFP150NPBF MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC Infineon Technologies	10 770 Varastossa	1 : 2,63000 € Putki	HEXFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	100 V	42A (Tc)	10V	36mOhm @ 23A, 10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
IRFP260MPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Infineon Technologies	3 908 Varastossa	1 : 2,99000 € Putki	HEXFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	200 V	50A (Tc)	10V	40mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	234 nC @ 10 V	±20V	4057 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
IRFP3710PBF MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC Infineon Technologies	12 146 Varastossa	1 : 3,17000 € Putki	HEXFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	100 V	57A (Tc)	10V	25mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	190 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
IRFP250NPBF MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Infineon Technologies	342 Varastossa	1 : 3,17000 € Putki	HEXFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	200 V	30A (Tc)	10V	75mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	123 nC @ 10 V	±20V	2159 pF @ 25 V	-	214W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
IRFP7530PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO247 Infineon Technologies	5 367 Varastossa	1 : 3,71000 € Putki	HEXFET®, StrongIRFET™	Putki	Viimeinen ostohetki	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	60 V	195A (Tc)	6V, 10V	2mOhm @ 100A, 10V	3,7V @ 250µA	411 nC @ 10 V	±20V	13703 pF @ 25 V	-	341W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247	TO-247-3
STW75NF20 MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3 STMicroelectronics	2 047 Varastossa	1 : 3,92000 € Putki	STripFET™	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	200 V	75A (Tc)	10V	34mOhm @ 37A, 10V	4V @ 250µA	84 nC @ 10 V	±20V	3260 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-50°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-3	TO-247-3
IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Infineon Technologies	9 900 Varastossa	1 : 4,13000 € Putki	HEXFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	200 V	50A (Tc)	10V	40mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	234 nC @ 10 V	±20V	4057 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
SPW20N60C3FKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Infineon Technologies	1 432 Varastossa	1 : 4,18000 € Putki	CoolMOS™	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	650 V	20,7A (Tc)	10V	190mOhm @ 13,1A, 10V	3,9V @ 1mA	114 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	208W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	PG-TO247-3-1	TO-247-3
SUG90090E-GE3 MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC Vishay Siliconix	2 458 Varastossa	1 : 4,49000 € Putki	ThunderFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	200 V	100A (Tc)	7,5V, 10V	9,5mOhm @ 20A, 10V	4V @ 250µA	129 nC @ 10 V	±20V	5220 pF @ 100 V	-	395W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
MSC750SMA170B SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Microchip Technology	851 Varastossa	1 : 4,61000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1700 V	7A (Tc)	20V	940mOhm @ 2,5A, 20V	3,25V @ 100µA (tyyp.)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-3	TO-247-3
SPW17N80C3FKSA1 MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Infineon Technologies	1 629 Varastossa	1 : 4,66000 € Putki	CoolMOS™	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	800 V	17A (Tc)	10V	290mOhm @ 11A, 10V	3,9V @ 1mA	177 nC @ 10 V	±20V	2320 pF @ 25 V	-	227W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	PG-TO247-3-1	TO-247-3
IRFP9240PBF MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3 Vishay Siliconix	2 064 Varastossa	1 : 4,72000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	P-kanava	MOSFET (metallioksidi)	200 V	12A (Tc)	10V	500mOhm @ 7,2A, 10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
SUG80050E-GE3 MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC Vishay Siliconix	3 670 Varastossa	1 : 5,05000 € Putki	ThunderFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	150 V	100A (Tc)	7,5V, 10V	5,4mOhm @ 20A, 10V	4V @ 250µA	165 nC @ 10 V	±20V	6250 pF @ 75 V	-	500W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
IRFP2907PBF MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC Infineon Technologies	6 556 Varastossa	1 : 5,05000 € Putki	HEXFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	75 V	209A (Tc)	10V	4,5mOhm @ 125A, 10V	4V @ 250µA	620 nC @ 10 V	±20V	13000 pF @ 25 V	-	470W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
C3M0350120D SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	1 245 Varastossa	1 : 5,07000 € Putki	C3M™	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	7,6A (Tc)	15V	455mOhm @ 3,6A, 15V	3,6V @ 1mA	19 nC @ 15 V	+15V, -4V	345 pF @ 1000 V	-	50W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-3	TO-247-3
SCT3160KLGC11 SICFET N-CH 1200V 17A TO247N Rohm Semiconductor	449 Varastossa	1 : 5,41000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	17A (Tc)	18V	208mOhm @ 5A, 18V	5,6V @ 2,5mA	42 nC @ 18 V	+22V, -4V	398 pF @ 800 V	-	103W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247N	TO-247-3
IPW60R070CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Infineon Technologies	1 114 Varastossa	1 : 5,49000 € Putki	CoolMOS™ CFD7	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	650 V	31A (Tc)	10V	70mOhm @ 15,1A, 10V	4,5V @ 760µA	67 nC @ 10 V	±20V	2721 pF @ 400 V	-	156W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	PG-TO247-3-21	TO-247-3
IRFP90N20DPBF MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC Infineon Technologies	2 209 Varastossa	1 : 5,77000 € Putki	HEXFET®	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	200 V	94A (Tc)	10V	23mOhm @ 56A, 10V	5V @ 250µA	270 nC @ 10 V	±30V	6040 pF @ 25 V	-	580W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
IRFP460APBF MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	3 602 Varastossa	1 : 6,32000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	500 V	20A (Tc)	10V	270mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	105 nC @ 10 V	±30V	3100 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
FDH45N50F-F133 MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3 onsemi	2 189 Varastossa	1 : 6,35000 € Putki	UniFET™	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	500 V	45A (Tc)	10V	120mOhm @ 22,5A, 10V	5V @ 250µA	137 nC @ 10 V	±30V	6630 pF @ 25 V	-	625W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247-3	TO-247-3
IRF100P218AKMA1 MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC Infineon Technologies	869 Varastossa	1 : 6,39000 € Putki	StrongIRFET™	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	100 V	209A (Tc)	6V, 10V	1,28mOhm @ 100A, 10V	3,8V @ 278µA	412 nC @ 10 V	±20V	24000 pF @ 50 V	-	3,8W (Ta), 556W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	PG-TO247-3	TO-247-3
IRFP4368PBFXKMA1 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	794 Varastossa	1 : 6,40000 € Putki	-	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	75 V	195A (Tc)	10V	1,85mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	570 nC @ 10 V	±20V	19230 pF @ 50 V	-	520W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247AC	TO-247-3
TK39N60W5,S1VF MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247 Toshiba Semiconductor and Storage	645 Varastossa	1 : 6,46000 € Putki	DTMOSIV	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	600 V	38,8A (Ta)	10V	74mOhm @ 19,4A, 10V	4,5V @ 1,9mA	135 nC @ 10 V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	TO-247	TO-247-3
IMW120R090M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Infineon Technologies	360 Varastossa	1 : 6,72156 € Putki	CoolSiC™	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	SiCFET (piikarbidi)	1200 V	26A (Tc)	15V, 18V	117mOhm @ 8,5A, 18V	5,7V @ 3,7mA	21 nC @ 18 V	+23V, -7V	707 pF @ 800 V	-	115W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Läpivientiaukko	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IPW65R080CFDAFKSA1 MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Infineon Technologies	679 Varastossa	1 : 6,89000 € Putki	CoolMOS™	Putki	Aktiivinen	N-kanavatyyppi	MOSFET (metallioksidi)	650 V	43,3A (Tc)	10V	80mOhm @ 17,6A, 10V	4,5V @ 1,76mA	161 nC @ 10 V	±20V	4440 pF @ 100 V	-	391W (Tc)	-40°C – 150°C (TJ)	Autoteollisuus	AEC-Q101	Läpivientiaukko	PG-TO247-3	TO-247-3

Näytetään

/ 2 244

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

Yksittäiset FET-kanavatransistorit (Field Effect Transistor) ja MOSFET-metallioksidi-puolijohdekanavatransistorit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ovat transistoreja , joita käytetään elektronisten signaalien vahvistamiseen ja kytkemiseen.

Yksittäinen FET toimii ohjaamalla sähkövirran kulkua lähteen ja nielun välillä hilaan syötetyn jännitteen synnyttämän sähkökentän avulla. FET-transistorien tärkein etu on niiden korkea tuloimpedanssi, mikä tekee niistä ihanteellisia käytettäväksi signaalinvahvistuksessa ja analogisissa piireissä. Niitä käytetään paljon sellaisissa sovelluksissa kuten vahvistimet, oskillaattorit ja puskuriasteet elektronisissa piireissä.

MOSFET-transistorit ovat FET-transistorien alatyyppi ja niiden hila on eristetty kanavasta ohuella oksidikerroksella, mikä parantaa niiden suorituskykyä ja tekee niistä erittäin tehokkaita. MOSFET-transistorit voidaan luokitella edelleen kahteen tyyppiin:

N-kanavatyypin MOSFET: näissä elektronit ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.
P-kanavatyypin MOSFET: näissä aukot ovat ensisijaisia varauksenkuljettajia.

MOSFET-transistoreita suositaan monissa sovelluksissa niiden alhaisen virrankulutuksen, korkean kytkentänopeuden sekä korkean virta- ja jänniteluokituksen vuoksi. Niillä on tärkeä rooli digitaalisissa ja analogisissa piireissä, mukaan lukien virtalähteet, moottorinohjaimet sekä radiotaajuussovellukset.

MOSFET-transistorien toiminta voidaan jakaa kahteen tyyppiin:

Avaustyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET ei normaalisti johda, kun hilajännite on nolla. Laiteen siirtyminen johtavaan tilaan vaatii positiivisen hila-lähde-jännitteen (n-kanavatyyppi) tai negatiivisen hila-lähde-jännitteen (p-kanavatyyppi).
Tyhjennystyyppi: Tämän tyyppinen MOSFET normaalisti johtaa, kun hilajännite on nolla. Kun hilalle syötetään polariteetiltaan vastakkainen jännite, se ei enää johda virtaa.

MOSFET-transistoreilla on useita etuja, kuten:

Korkea hyötysuhde: Niiden virrankulutus on hyvin matala ja voivat vaihtaa tilaa nopeasti, mikä tekee niistä erittäin tehokkaita virranhallintasovelluksissa.
Alhainen johtamisresistanssi: Niiden resistanssi on alhainen niiden johtaessa, mikä minimoi tehohäviön ja lämmöntuotannon.
Korkea tuloimpedanssi: Erotettu hilarakenne johtaa erittäin korkeaan tuloimpedanssiin, mikä tekee niistä ihanteellisia impedanssiltaan korkean signaalin vahvistamiseen.

Yhteenvetona voidaan todeta, että yksittäiset FET-transistorit ja erityisesti MOSFET-transistorit ovat modernin elektroniikan peruskomponentteja, jotka tunnetaan tehokkuudesta, nopeudesta ja monipuolisuudesta mitä erilaisimmissa sovelluksissa pienitehoisesta signaalinvahvistuksesta korkeatehoiseen kytkentään ja ohjaukseen.

Yksittäiset FET- ja MOSFET-transistorit

TIETOJA

OPASTUS

OTA YHTEYTTÄ

SEURAA MEITÄ