Name: SSM3J66MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND
Price: 0.3514 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM3J66MFV,L3F
DigiKeyn tuotenumero	264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-SSM3J66MFV,L3FCT-ND - Cut Tape (CT) 264-SSM3J66MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM3J66MFV,L3F
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Kiinnitys pintaan VESM
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM3J66MFV,L3F -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVI
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	800mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	390mOhm @ 800mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	+6V, -8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	100 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	150mW (Ta)
Toimintalämpötila	150°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	VESM
Pakkaus / kotelo	SOT-723
Päätuotenumero	SSM3J66