Name: SSM3J35AMFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35AMFVL3FTR-ND
Price: 0.251 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM3J35AMFV,L3F
DigiKeyn tuotenumero	SSM3J35AMFVL3FTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM3J35AMFVL3FCT-ND - Cut Tape (CT) SSM3J35AMFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM3J35AMFV,L3F
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Kiinnitys pintaan VESM
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM3J35AMFV,L3F -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,4Ohm @ 150mA, 4,5V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 100µA
Sarja U-MOSVII	Vgs (maks.) ±10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 42 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 150mW (Ta)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila 150°C
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Valmistajan laitepakkaus VESM
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 250mA (Ta)	Pakkaus / kotelo SOT-723
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,2V, 4,5V	Päätuotenumero SSM3J35

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 322 566

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)