Name: DMN31D4UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN31D4UFZ-7BTR-ND
Price: 0.23845 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN31D4UFZ-7B
DigiKeyn tuotenumero	31-DMN31D4UFZ-7BTR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMN31D4UFZ-7BCT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMN31D4UFZ-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN31D4UFZ-7B
Kuvaus	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 310mA (Ta) 300mW (Ta) Kiinnitys pintaan X2-DFN0606-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 0.3 nC @ 4.5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±12V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 15.4 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 300mW (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 310mA (Ta)	Valmistajan laitepakkaus X2-DFN0606-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,5V, 4,5V	Pakkaus / kotelo 3-XFDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,5Ohm @ 100mA, 4,5V	Päätuotenumero DMN31

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 17 782

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)