Name: RQ3G120BJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3G120BJFRATCBTR-ND
Price: 1.7068 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RQ3G120BJFRATCB
DigiKeyn tuotenumero	846-RQ3G120BJFRATCBTR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RQ3G120BJFRATCBCT-ND - Cut Tape (CT) 846-RQ3G120BJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RQ3G120BJFRATCB
Kuvaus	PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 12A (Tc) 40W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-HSMT (3,2x3)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	48mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 279µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	15.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+5V, −20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	750 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	40W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-HSMT (3,2x3)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN