Name: 2SJ162-E
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2SJ162-E-ND
Price: 10.0651 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

2SJ162-E
DigiKeyn tuotenumero	2SJ162-E-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	2SJ162-E
Kuvaus	MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Läpivientiaukko TO-3P
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	2SJ162-E -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Renesas Electronics Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Viimeinen ostohetki
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	160 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) @ Id	-
Vgs (maks.)	±15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	900 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	100W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-3P
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3