Name: 2SK1317-E
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2SK1317-E-ND
Price: 22.47705 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

2SK1317-E
DigiKeyn tuotenumero	2SK1317-E-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	2SK1317-E
Kuvaus	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1500 V 2,5A (Ta) 100W (Tc) Läpivientiaukko TO-3P
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	2SK1317-E -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Renesas Electronics Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Viimeinen ostohetki
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1500 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2,5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	12Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	-
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	990 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	100W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-3P
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Päätuotenumero	2SK1317