Name: NVMFS5113PLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5113PLWFT1GTR-ND
Price: 3.87795 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVMFS5113PLWFT1G
DigiKeyn tuotenumero	488-NVMFS5113PLWFT1GTR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NVMFS5113PLWFT1GCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NVMFS5113PLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVMFS5113PLWFT1G
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Kiinnitys pintaan 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	10A (Ta), 64A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4400 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 150W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN, 5 johtoa
Päätuotenumero	NVMFS5