Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 4.0411 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVMFS5113PLT1G
DigiKeyn tuotenumero	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Rullattu teippi (TR) NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Cut Tape (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVMFS5113PLT1G
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Kiinnitys pintaan 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NVMFS5113PLT1G -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 83 nC @ 10 V
Valm. onsemi	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4400 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Ta), 64A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Valmistajan laitepakkaus 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 17A, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN, 5 johtoa
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA	Päätuotenumero NVMFS5