Name: FQT1N80TF-WS
Brand: onsemi
SKU: FQT1N80TF-WSTR-ND
Price: 1.4056 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQT1N80TF-WS
DigiKeyn tuotenumero	FQT1N80TF-WSTR-ND - Rullattu teippi (TR) FQT1N80TF-WSCT-ND - Cut Tape (CT) FQT1N80TF-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FQT1N80TF-WS
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 200mA (Tc) 2,1W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-223-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FQT1N80TF-WS -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	QFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	200mA (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	7.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	195 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,1W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-223-3
Pakkaus / kotelo	TO-261-3
Päätuotenumero	FQT1N80