Name: IXTH6N120
Brand: IXYS
SKU: IXTH6N120-ND
Price: 11.50835 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTH6N120
DigiKeyn tuotenumero	IXTH6N120-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTH6N120
Kuvaus	MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	50 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 6A (Tc) 300W (Tc) Läpivientiaukko TO-247 (IXTH)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,6Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1950 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	300W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247 (IXTH)
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	IXTH6