Name: IXTX32P60P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTX32P60P-ND
Price: 24.15875 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTX32P60P
DigiKeyn tuotenumero	238-IXTX32P60P-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTX32P60P
Kuvaus	MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 600 V 32A (Tc) 890W (Tc) Läpivientiaukko PLUS247™-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	PolarP™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	32A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	350mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	196 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	11100 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	890W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PLUS247™-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3-muunnos
Päätuotenumero	IXTX32