Name: IMW65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R050M2HXKSA1-ND
Price: 11.1193 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW65R050M2HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW65R050M2HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW65R050M2HXKSA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 38A (Tc) 153W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-40
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 3,7mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 22 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™ Gen 2	Vgs (maks.) +23V, -7V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 790 pF @ 400 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 153W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-40
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 38A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Päätuotenumero IMW65R050
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 46mOhm @ 18,2A, 20V