Name: IMW65R075M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R075M2HXKSA1-ND
Price: 9.75135 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW65R075M2HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW65R075M2HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW65R075M2HXKSA1
Kuvaus	IMW65R075M2HXKSA1
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 26,6A (Tc) 111W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-40
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 68mOhm @ 11,9A, 20V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 2,4mA
Sarja CoolSiC™ G2	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 14.9 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +23V, -7V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 516 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 111W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 26,6A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-40
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Pakkaus / kotelo TO-247-3