
IMW65R083M1HXKSA1 | |
---|---|
DigiKeyn tuotenumero | 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND |
Valmistaja | |
Valmistajan tuotenumero | IMW65R083M1HXKSA1 |
Kuvaus | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Valmistajan vakio toimitusaika | 23 viikkoa |
Asiakkaan referenssi | |
Tarkka kuvaus | N-kanavatyyppi 650 V 24A (Tc) 104W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41 |
Tekniset tiedot | Tekniset tiedot |
EDA/CAD-mallit | IMW65R083M1HXKSA1 -mallit |
Tyyppi | Kuvaus | Valitse kaikki |
---|---|---|
Kategoria | ||
Valm. | ||
Sarja | ||
Pakkaustapa | Putki | |
Osan tila | Aktiivinen | |
FET-tyyppi | ||
Teknologia | ||
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) | 650 V | |
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C | ||
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) | 18V | |
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 11,2A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) @ Id | 5,7V @ 3,3mA | |
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs | 19 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -2V | |
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds | 624 pF @ 400 V | |
FET-ominaisuus | - | |
Tehohäviö (maks.) | 104W (Tc) | |
Toimintalämpötila | -55°C – 175°C (TJ) | |
Luokka | - | |
Hyväksyntä | - | |
Asennustyyppi | Läpivientiaukko | |
Valmistajan laitepakkaus | PG-TO247-3-41 | |
Pakkaus / kotelo | ||
Päätuotenumero |
Määrä | Yksikköhinta | Yhteensä |
---|---|---|
1 | 5,79000 € | 5,79 € |
30 | 3,50533 € | 105,16 € |
120 | 2,99750 € | 359,70 € |
510 | 2,53896 € | 1 294,87 € |
Yksikköhinta ilman ALV-veroa: | 5,79000 € |
---|---|
Yksikköhinta ALV-veron kanssa: | 7,26645 € |