Name: IMW65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND
Price: 9.7388 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW65R083M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW65R083M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW65R083M1HXKSA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 24A (Tc) 104W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMW65R083M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 3,3mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 19 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +20V, -2V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 624 pF @ 400 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 104W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-41
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 24A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Päätuotenumero IMW65R
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 111mOhm @ 11,2A, 18V