Name: BSZ097N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 2.9116 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSZ097N10NS5ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSZ097N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSZ097N10NS5ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8-FL
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSZ097N10NS5ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 36µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2080 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TSDSON-8-FL
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 8A (Ta), 40A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero BSZ097
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 9,7mOhm @ 20A, 10V