Name: RFD8P06LE
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-RFD8P06LE-ND
Price: 0.51673 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RFD8P06LE
DigiKeyn tuotenumero	2156-RFD8P06LE-ND
Valmistaja	Fairchild Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RFD8P06LE
Kuvaus	P-CHANNEL POWER MOSFET
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 8A (Tc) 48W (Tc) Läpivientiaukko IPAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Fairchild Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	300mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	675 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	48W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	IPAK
Pakkaus / kotelo	TO-251-3 lyhyet jalat, IPAK, TO-251AA