Name: DMN2990UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2990UFB-7BTR-ND
Price: 0.3263 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN2990UFB-7B
DigiKeyn tuotenumero	31-DMN2990UFB-7BTR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMN2990UFB-7BCT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMN2990UFB-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN2990UFB-7B
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 780mA (Ta) 520mW (Ta) Kiinnitys pintaan X1-DFN1006-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 0.41 nC @ 4.5 V
Valm. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±8V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 31 pF @ 15 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 520mW (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 780mA (Ta)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,8V, 4,5V	Valmistajan laitepakkaus X1-DFN1006-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4,5V	Pakkaus / kotelo 3-UFDFN
Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 250A	Päätuotenumero DMN2990

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 2 277

Tehtaan varastossa: 140 000

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)