Name: DMN2990UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2990UFA-7BDITR-ND
Price: 0.753 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN2990UFA-7B
DigiKeyn tuotenumero	DMN2990UFA-7BDITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN2990UFA-7BDICT-ND - Cut Tape (CT) DMN2990UFA-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN2990UFA-7B
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 510mA (Ta) 400mW (Ta) Kiinnitys pintaan X2-DFN0806-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 27.6 pF @ 16 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 400mW (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 510mA (Ta)	Valmistajan laitepakkaus X2-DFN0806-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,2V, 4,5V	Pakkaus / kotelo 3-XFDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4,5V	Päätuotenumero DMN2990

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 127 835

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®