Name: SQJQ100E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ100E-T1_GE3TR-ND
Price: 3.92815 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQJQ100E-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQJQ100E-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQJQ100E-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQJQ100E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQJQ100E-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 8 x 8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQJQ100E-T1_GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	200A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	14780 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	150W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 8 x 8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 8 x 8
Päätuotenumero	SQJQ100