Name: SQJ422EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ422EP-T1_BE3TR-ND
Price: 2.04565 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQJ422EP-T1_BE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SQJ422EP-T1_BE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SQJ422EP-T1_BE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SQJ422EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQJ422EP-T1_BE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 75A (Tc) 83W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SQJ422EP-T1_BE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,4mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5000 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	83W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8
Päätuotenumero	SQJ422