Name: SISS26LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS26LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.66915 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SISS26LDN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SISS26LDN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SISS26LDN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISS26LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SISS26LDN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 23,7A (Ta), 81,2A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8S
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	23,7A (Ta), 81,2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1980 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8S
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8S
Päätuotenumero	SISS26