SIS626DN-T1-GE3 Vishay Siliconix | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

SIS626DN-T1-GE3 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Vishay Siliconix

Varastossa: 11 998

Yksikköhinta : 1,75000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIS626DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIS626DN-T1-GE3-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIS626DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 16A (Tc) 52W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	25 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1925 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	52W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8
Päätuotenumero	SIS626