Name: SIR882BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR882BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 1.89505 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIR882BDP-T1-RE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIR882BDP-T1-RE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIR882BDP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIR882BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIR882BDP-T1-RE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 16,5A (Ta), 67,5A (Tc) 5W (Ta), 83,3W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIR882BDP-T1-RE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	16,5A (Ta), 67,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8,3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3762 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	5W (Ta), 83,3W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8
Päätuotenumero	SIR882