Name: SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND
Price: 6.6515 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIEH4800EW-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIEH4800EW-T1-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Valmistajan vakio toimitusaika	7 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 8 x 8 BWL
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	34A (Ta), 381A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	278 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	29000 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,4W (Ta), 417W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 8 x 8 BWL
Pakkaus / kotelo	8-PowerDFN